MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SI4900DY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
180-8002
Referência do fabricante:
SI4900DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.058Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

4.8mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21

Anchura

4mm

Altura

1.35mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N doble TrenchFET serie SI4900DY de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 60 V. Se utiliza en TV LCD e inversor CCFL.

Sin plomo

Libre de halógenos

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