MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 710-4764
- Referência do fabricante:
- SI7850DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
12,36 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2535 unidade(s) para enviar a partir do dia 08 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,472 € | 12,36 € |
| 50 - 120 | 2,10 € | 10,50 € |
| 125 - 245 | 1,828 € | 9,14 € |
| 250 - 495 | 1,508 € | 7,54 € |
| 500 + | 1,19 € | 5,95 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 710-4764
- Referência do fabricante:
- SI7850DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | Si7850DP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie Si7850DP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 6.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4896DY-T1-E3, VDSS 80 V, ID 9.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI4900DY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI4946BEY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4559ADY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 9.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 5.3 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7464DP-T1-E3, VDSS 200 V, ID 1.8 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines