MOSFET Vishay SI7113DN-T1-GE3

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Indisponível
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Código RS:
180-7305
Referência do fabricante:
SI7113DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 134mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 52W mW y una corriente de drenaje continua de 13,2A A. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. Tiene aplicaciones en la abrazadera activa en fuentes de alimentación dc/dc intermedias. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Sin halógenos ni plomo (Pb)

• encapsulado powerpak de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07mm mm

• La tensión de accionamiento máxima y mínima es de 4,5V V y 10V V.

• La potencia de disipación máxima es de 52W mW

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 50 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado

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