Vishay IGBT, SI7121ADN-T1-GE3, Tipo P-Canal, PowerPAK 1212-8, 8 pines Superficie

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Opções de embalagem:
Código RS:
180-7866
Referência do fabricante:
SI7121ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

IGBT

Disipación de potencia máxima Pd

27.8W

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo P

Número de pines

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.61mm

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Energía nominal

9.8mJ

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET POWERPAK-1212-8 de canal P de montaje en superficie Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 30V V y una tensión de fuente de compuerta máxima de 25V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 15mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 27,8W mW y una corriente de drenaje continua de 18A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. Con la ayuda de este MOSFET, se puede lograr un excelente rendimiento y eficiencia a un coste más bajo. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• encapsulado powerpak de baja resistencia térmica con tamaño pequeño

• La potencia de disipación máxima es de 27,8W mW

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 50 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Aplicaciones


• Computación móvil

• Interruptores adaptadores

• Interruptores de carga - Gestión de la batería

• Ordenadores portátiles

• Gestión de alimentación

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado

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