MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7113DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 13.2 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
180-7804
Referência do fabricante:
SI7113DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

13.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.145Ω

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

50°C

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Longitud

3.61mm

Anchura

3.61 mm

Certificaciones y estándares

RoHS, JEDEC JS709A

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal P de montaje superficial PowerPAK-1212-8 de Vishay es un producto de nueva generación con una tensión de fuente de drenaje de 100 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20 V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 134 mΩ a una tensión de fuente de puerta de 10 V. Tiene una disipación de potencia máxima de 52 W y una corriente de drenaje continua de 13,2 A. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. Tiene aplicaciones en la abrazadera activa en fuentes de alimentación dc/dc intermedias. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.

Características y ventajas


• Sin halógenos ni plomo (Pb)

• encapsulado powerpak de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1,07mm mm

• La tensión de accionamiento máxima y mínima es de 4,5V V y 10V V.

• La potencia de disipación máxima es de 52W mW

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 50 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado

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