MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 203 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
178-4307
Referência do fabricante:
NVMFS6H800NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

203A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN

Serie

NVMFS6H800N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5.1mm

Altura

1.05mm

Anchura

6.1 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
MY
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.

Características

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Baja RDS(on)

Baja QG y capacitancia

NVMFS6H800NWF - Opción de flanco sumergible

Capacidad PPAP

Ventajas

Diseño compacto

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de controlador

Óptica mejorada

Inspección

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Sistemas de 48 V

Productos finales

Control de motor

Interruptor de carga

Convertidor dc/dc

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