MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 157 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
178-4308
Referência do fabricante:
NVMFS6H801NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

157A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN

Serie

NVMFS6H801N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Anchura

6.1 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
MY
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flancos sumergibles disponible para inspección óptica mejorada. Adecuado para automoción.

Características

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Baja RDS(on)

Baja QG y capacitancia

NVMFS6H801NWF - Opción de flanco sumergible

Capacidad PPAP

Ventajas

Diseño compacto

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de controlador

Inspección óptica mejorada

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Sistemas de 48 V

Productos finales

Control de motor

Convertidor dc/dc

Interruptor de carga

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