MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, Mejora, DFN de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

3,63 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 4275 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 +0,726 €3,63 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
172-8986
Referência do fabricante:
NTMFS6H801NT1G
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

157A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN

Serie

NTMFS6H801N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

64nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.1 mm

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia comercial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico.

Tamaño pequeño (5x6 mm)

Diseño compacto

Baja RDS(on)

Minimiza las pérdidas de conducción

Baja QG y capacitancia

Minimiza las pérdidas de controlador

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de conmutación

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Sistemas de 48 V

Control de motor

Interruptor de carga

Convertidor dc/dc

Rectificador síncrono

Links relacionados