MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 337 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-2676
- Referência do fabricante:
- NVMTS1D2N08H
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 195-2676
- Referência do fabricante:
- NVMTS1D2N08H
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 337A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 147nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 8mm | |
| Altura | 1.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 337A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 147nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 8mm | ||
Altura 1.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Flanco sumergible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (8x8 mm)
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Opción de flancos sumergibles
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicación
Protección de batería inversa
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
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