MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SiZ350DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8

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Código RS:
178-3944
Referência do fabricante:
SiZ350DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAIR 3 x 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

16.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3mm

Altura

0.75mm

Anchura

3 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
TW
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

MOSFET de lado alto y de lado bajo que ofrecen una combinación

optimizada para un ciclo de trabajo de un 50 %

FOM RDS - Qg y RDS - Qgd optimizada que mejora

la eficacia para conmutación de alta frecuencia

APLICACIONES

Reductor síncrono

Conversión dc/dc

Medio puente

POL

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