MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8

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Código RS:
178-3932
Referência do fabricante:
SiZ348DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAIR 3 x 3

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

16.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.1nC

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Longitud

3mm

Anchura

3 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
TW
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching

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