MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N, Tipo P-Canal SQJ504EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 30 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 178-3893
- Referência do fabricante:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
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- Código RS:
- 178-3893
- Referência do fabricante:
- SQJ504EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 34W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.07mm | |
| Longitud | 5.99mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 34W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.07mm | ||
Longitud 5.99mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
mosfet de vishay
El MOSFET Vishay de montaje en superficie de canal doble (canales N y P) es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 17mohm a una tensión de fuente de compuerta de 10V. Tiene una máxima disipación de potencia de 34W y una corriente continua de drenaje de 30A. El MOSFET se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida larga y productiva sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad. Es aplicable en la industria automotriz.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin Plomo (Pb)
• rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• pruebas De Cr
• pruebas de IEU
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