MOSFET, N-Canal Vishay SQJA76EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 75 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Obtenha um desconto por quantidade

Adicione mais 100 para poupar 22%

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

13,30 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 14 de julho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
Poupança
10 - 901,33 €13,30 €-
100 - 4901,03 €10,30 €22%
500 - 9900,874 €8,74 €34%
1000 +0,754 €7,54 €43%

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
178-3916
Referência do fabricante:
SQJA76EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

66nC

Disipación de potencia máxima Pd

66W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.07mm

Longitud

5.99mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.