MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SQJA76EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 75 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

11,52 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 26 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 901,152 €11,52 €
100 - 4900,892 €8,92 €
500 - 9900,757 €7,57 €
1000 +0,653 €6,53 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
178-3916
Referência do fabricante:
SQJA76EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

75A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

66nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

66W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.99mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.