MOSFET Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SQS944ENW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 6 A, PowerPAK 1212, Mejora de 8 pines, 2, config.

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

19,50 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 2975 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 750,78 €19,50 €
100 - 4750,663 €16,58 €
500 - 9750,584 €14,60 €
1000 +0,507 €12,68 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
178-3956
Referência do fabricante:
SQS944ENW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

27.8W

Tensión directa Vf

0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.07mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.15 mm

Longitud

3.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
MOSFET de potencia TrenchFET®

Links relacionados

Recently viewed