MOSFET, N-Canal Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SC-70-6L de 6 pines
- Código RS:
- 178-3667
- Referência do fabricante:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (3000 unidades, em rolo de 3000)*
1 356,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 25 de outubro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,452 € | 1 356,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-3667
- Referência do fabricante:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SC-70-6L | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0185Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SC-70-6L | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0185Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Anchura 1.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS – Qoss
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix SiA106DJ-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, SC-70-6L de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA112LDJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8.8 A, Mejora, SC-70-6L de 7 pines
- Vishay IGBT, SIA456DJ-T1-GE3, Tipo N-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie
- Vishay IGBT, SIA433EDJ-T1-GE3, Tipo P-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA817EDJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4.5 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 2, config. Schottky
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SIA437DJ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 29.7 A, PowerPAK SC-70-6L de 6 pines, 1, config. Simple
- Vishay IGBT, Tipo P-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie
- Vishay IGBT, Tipo N-Canal, PowerPAK SC-70-6L, 6 pines Superficie