MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA112LDJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8.8 A, Mejora, SC-70-6L de 7 pines

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Código RS:
279-9900
Referência do fabricante:
SIA112LDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SIA

Encapsulado

SC-70-6L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.119Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

15.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

2.05mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de canal N, y el transistor que contiene está fabricado en un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

RDS muy bajo x factor de mérito Qg

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

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