MOSFET, N-Canal Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
178-3665
Referência do fabricante:
Si7190ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
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Marca

Vishay Siliconix

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

14.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.99mm

Altura

1.07mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

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