MOSFET, N-Canal Vishay SiDR392DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 178-3670
- Referência do fabricante:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 178-3670
- Referência do fabricante:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900μΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | +20V, +6V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 125nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.07mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5mm | |
| Longitud | 5.99mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900μΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta +20V, +6V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 125nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.07mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5mm | ||
Longitud 5.99mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss
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