MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Si7454FDP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 23.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
228-2829
Referência do fabricante:
Si7454FDP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de lado primario dc/dc, telecomunicaciones/servidor, control de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja

Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo

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