MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix Si7190ADP-T1-RE3, VDSS 250 V, ID 14.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

7,85 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,57 €7,85 €
50 - 951,308 €6,54 €
100 - 4951,016 €5,08 €
500 - 9950,89 €4,45 €
1000 +0,80 €4,00 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
178-3875
Referência do fabricante:
Si7190ADP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay Siliconix

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

14.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.9nC

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.99mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.07mm

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Low thermal resistance PowerPAK® package

Links relacionados