Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 172-4630
Referência do fabricante:: FCB199N65S3
Fabricante:: onsemi

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 172-4630
Referência do fabricante:: FCB199N65S3
Fabricante:: onsemi

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	14A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	FCB
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	199mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	98W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	30nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.67mm
	Altura	4.83mm
	Anchura	9.65 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 14A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie FCB
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 199mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 98W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.67mm
	Altura 4.83mm
	Anchura 9.65 mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

SuperFET® III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de súper empalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

700 V a TJ = 150 oC

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 30 nC)

Menor pérdida de conmutación

Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 277 pF)

Menor pérdida de conmutación

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Resistencia de compuerta interna: 7,0 ohmios

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Típ. RDS(on) = 170 mΩ

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FCB199N65S3, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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