MOSFET, N-Canal ROHM RQ7L055BGTCR, VDSS 40 V, ID 10.7 A, Mejora, TSMT-8

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Código RS:
246-3955
Referência do fabricante:
RQ7L055BGTCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

RQ7L055BG

Encapsulado

TSMT-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N ROHM está disponible en un encapsulado pequeño de montaje superficial y se puede utilizar en aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado pequeño de montaje superficial (TSMT8)

Chapado sin plomo

En conformidad con RoHS

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