MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 138 A, Mejora de 3 pines

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Código RS:
168-8929
Referência do fabricante:
STY145N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

138A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Disipación de potencia máxima Pd

625W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

414nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.3mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.9mm

Altura

20.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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