MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, I2PAK de 3 pines

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Código RS:
164-6960
Referência do fabricante:
STI28N60M2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

STI28

Encapsulado

I2PAK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.6mm

Altura

9.3mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Gracias a su disposición de tira y su estructura vertical mejorada, estos dispositivos presentan unas características de conmutación optimizada y baja resistencia de conexión, por lo que son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.

Carga de puerta extremadamente baja

Perfil de excelente capacitancia de salida (COSS)

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

Qg muy bajo para aumentar la eficiencia

Perfiles de capacitancia y carga de puerta optimizados para fuentes de alimentación resonantes (convertidores LLC)

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