MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, PowerFLAT de 4 pines
- Código RS:
- 213-3941
- Referência do fabricante:
- SCTL35N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
40 359,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 28 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 13,453 € | 40 359,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 213-3941
- Referência do fabricante:
- SCTL35N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCTL35N65G2V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 67mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 417W | |
| Tensión directa Vf | 3.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Anchura | 8.1 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCTL35N65G2V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 67mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 417W | ||
Tensión directa Vf 3.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 0.95mm | ||
Anchura 8.1 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCTL35N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, PowerFLAT de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal STMicroelectronics ST8L65N044M9, VDSS 650 V, ID 58 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 15 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 80 V, ID 95 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 22 A, Mejora, PowerFLAT de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 30 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines