MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 60 A, Mejora de 4 pines

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Código RS:
215-229
Referência do fabricante:
SCT027W65G3-4AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SCT

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

29mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10 to 22 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Disipación de potencia máxima Pd

313W

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la avanzada e innovadora tecnología SiC MOSFET de 3ª generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Alta velocidad de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

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