MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK58E06N1, VDSS 60 V, ID 105 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7779
- Referência do fabricante:
- TK58E06N1
- Fabricante:
- Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
35,90 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 16 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,718 € | 35,90 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-7779
- Referência do fabricante:
- TK58E06N1
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 105A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TK | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.16mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.1mm | |
| Anchura | 4.45 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 105A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TK | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.16mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.1mm | ||
Anchura 4.45 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- JP
Transistores MOSFET, Toshiba
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 105 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 43 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 120 V, ID 60 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 30 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 58 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK40A06N1,S4X(S, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-220 de 3 pines