MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 80 V, ID 214 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-7773
Referência do fabricante:
TK100E08N1
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

214A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

TK

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

255W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

130nC

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.1mm

Longitud

10.16mm

Anchura

4.45 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
JP

Transistores MOSFET, Toshiba


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