MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
796-5070
Referência do fabricante:
TK100E10N1
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

207A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Serie

TK

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

140nC

Disipación de potencia máxima Pd

255W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4.45 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.16mm

Altura

15.1mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET, Toshiba


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