MOSFET, N-Canal Toshiba TK30E06N1, VDSS 60 V, ID 43 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-7775
Referência do fabricante:
TK30E06N1
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

43A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

TK

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16nC

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

15.1mm

Longitud

10.16mm

Anchura

4.45mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
JP

MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba


Transistores MOSFET, Toshiba


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