MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 168-6691
- Referência do fabricante:
- STP12NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 168-6691
- Referência do fabricante:
- STP12NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.75Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 87nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Altura | 9.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.75Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 87nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK | ||
Anchura 4.6mm | ||
Altura 9.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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