MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-8627
Referência do fabricante:
STP2N80K5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.5nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.6mm

Longitud

10.4mm

Altura

15.75mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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