MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 687-5263
- Referência do fabricante:
- STP12NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
- Código RS:
- 687-5263
- Referência do fabricante:
- STP12NK80Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 800 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 10.5 A | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Número de pines | 3 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Tensión directa (Vf) | 1.6 V | |
| Altura | 9.15 mm | |
| Longitud | 10.4 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.75 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30 V, +30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 190 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | SuperMESH | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 87 nC | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 800 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 10.5 A | ||
Modo de canal Mejora | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Número de pines 3 | ||
Estándar de automoción No | ||
Tensión directa (Vf) 1.6 V | ||
Altura 9.15 mm | ||
Longitud 10.4 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.75 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30 V, +30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 190 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie SuperMESH | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 87 nC | ||
Anchura 4.6 mm | ||
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STW12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 4.3 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
