MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
687-5263
Referência do fabricante:
STP12NK80Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

800 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

10.5 A

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

TO-220

Número de pines

3

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.6 V

Altura

9.15 mm

Longitud

10.4 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

0.75 Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30 V, +30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

190 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Orificio pasante

Serie

SuperMESH

Certificaciones y estándares

ECOPACK

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

87 nC

Anchura

4.6 mm

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics


MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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