MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
920-8852
Referência do fabricante:
STP11NM80
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Tensión directa Vf

860mV

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.6mm

Altura

9.15mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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