MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
168-6101
Referência do fabricante:
STP11NK50Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.52Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

ECOPACK, JEDEC JESD97

Altura

9.15mm

Anchura

4.6 mm

Longitud

10.4mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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