MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STP100N8F6, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 719-658
- Referência do fabricante:
- STP100N8F6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-658
- Referência do fabricante:
- STP100N8F6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.009Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 176W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 100nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 4.6mm | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.009Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 176W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 100nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.4mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 4.6mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología STripFETTM F6 con una nueva estructura de puerta de trinchera. El MOSFET de potencia resultante presenta un RDS(on) muy bajo en todos los encapsulados.
Resistencia encendida muy baja
Carga de puerta muy baja
Alta robustez ante avalanchas
Pérdida de potencia de accionamiento de puerta baja
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