MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STP25N018M9, VDSS 250 V, ID 56 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 711-524
- Referência do fabricante:
- STP25N018M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
5,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 240 unidade(s) para enviar a partir do dia 14 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,02 € |
| 10 - 99 | 2,62 € |
| 100 - 499 | 2,39 € |
| 500 + | 1,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 711-524
- Referência do fabricante:
- STP25N018M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | STP25 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.4mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie STP25 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.4mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 4.6mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de media/alta tensión con bajo RDS(on) por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El resultado El producto tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos, entre todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo convierte en especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
FOM muy bajo (RDS(on)·Qg)
Capacidad dv/dt superior
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de conducir
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STP100N8F6, VDSS 80 V, ID 100 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP310N10F7, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP11NM60ND, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220 de 3 pines