MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R1K0CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 6.8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 130-0898
Referência do fabricante:: IPD60R1K0CEAUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R1K0CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 6.8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

14,55 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €

Em stock

Mais 2050 unidade(s) para enviar a partir do dia 08 de junho de 2026

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
25 +	0,582 €	14,55 €

*preço indicativo

Código RS:: 130-0898
Referência do fabricante:: IPD60R1K0CEAUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	CoolMOS CE
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	61W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	13nC
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	6.73mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	2.41mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-252
	Serie CoolMOS CE
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 61W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 6.73mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 2.41mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corriente de drenaje continua máxima de 6,8 A, disipación de potencia máxima de 61 W - IPD60R1K0CEAUMA1

Este MOSFET de alto voltaje está diseñado para mejorar el rendimiento en diversas aplicaciones de potencia. Es adecuado para sistemas que requieren una capacidad de conmutación robusta y sirve a sectores como la automatización y la electrónica. La tecnología CoolMOS emplea principios de superunión que garantizan la eficiencia y la fiabilidad en diversas condiciones de funcionamiento.

Características y ventajas

• La reducción de las pérdidas por conmutación y conducción aumenta la eficiencia

• Diodo de cuerpo robusto que soporta la conmutación dura para aumentar la fiabilidad

• Las características de baja carga de puerta simplifican los requisitos del controlador durante el funcionamiento

• La resistencia ESD mejorada favorece la durabilidad en entornos difíciles

• Adecuado para aplicaciones de conmutación dura y suave optimiza el rendimiento

Aplicaciones

• Se utiliza en las etapas de corrección del factor de potencia para una gestión eficaz de la energía

• Empleado en etapas PWM de conmutación dura para una conversión y control de potencia eficientes

• Se integra perfectamente en las etapas de conmutación resonante de varios dispositivos

• Adecuado para múltiples sectores, como iluminación, servidores y equipos de telecomunicaciones

¿Cómo afecta el comportamiento de conmutación a la eficiencia energética durante el funcionamiento?

El comportamiento de conmutación es importante, ya que las menores pérdidas de conmutación contribuyen a una mayor eficiencia global, lo que se traduce en un funcionamiento más frío y una menor generación de calor, lo que favorece la longevidad del sistema.

¿Qué medidas de protección se recomiendan durante la instalación?

Es aconsejable utilizar perlas de ferrita en las puertas o tótems separados para reducir el zumbido y garantizar un funcionamiento estable durante la conmutación.

¿Puede funcionar eficazmente en condiciones extremas de temperatura?

El MOSFET está preparado para funcionar entre -40 °C y +150 °C, lo que permite un funcionamiento fiable en diversas condiciones ambientales.

¿Qué hay que tener en cuenta al conectar varios dispositivos en paralelo?

Para que el funcionamiento en paralelo sea eficaz, deben emplearse técnicas de accionamiento de puerta adecuadas para lograr una distribución equilibrada de la corriente entre los dispositivos y optimizar el rendimiento.

¿Qué implicaciones tienen los valores máximos en el diseño de los sistemas?

Conocer los valores nominales máximos, como la corriente de drenaje continua y los límites de tensión, es crucial en el diseño de sistemas para evitar superar esos umbrales, garantizando el rendimiento y la fiabilidad en las aplicaciones.