MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 84 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
166-0877
Referência do fabricante:
IPB117N20NFDATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

84A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

OptiMOS FD

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

170°C

Altura

4.57mm

Anchura

9.45mm

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Longitud

10.31mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™ FD


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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