MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 84 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
166-0877
Referência do fabricante:
IPB117N20NFDATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

84A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

OptiMOS FD

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de funcionamiento máxima

170°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

Longitud

10.31mm

Anchura

9.45 mm

Altura

4.57mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™ FD


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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