MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 84 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
222-4732
Referência do fabricante:
IRF1010ESTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

84A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

86.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

170W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Tecnología Advanced Process

Conmutación rápida de resistencia de conexión ultrabaja

Sin plomo, Conformidad RoHS

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