MOSFET, N-Canal Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
165-7224
Referência do fabricante:
SIA462DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

US

Serie

SiA462DJ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.018Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.15mm

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Altura

0.8mm

Longitud

2.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.