MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 165-2807
- Referência do fabricante:
- SISA04DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 419,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 06 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,473 € | 1 419,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-2807
- Referência do fabricante:
- SISA04DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Tensión directa Vf | 0.73V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Tensión directa Vf 0.73V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.15mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA04DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 65 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay Siliconix, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7116BDN-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 65 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 185.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines