MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 45 V, ID 108 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 200-6847
- Referência do fabricante:
- SISS50DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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*preço indicativo
- Código RS:
- 200-6847
- Referência do fabricante:
- SISS50DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 108A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 45V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 108A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 45V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SISS50DN-T1-GE3 es un MOSFET de canal N 45V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
RDS(on) muy baja en un encapsulado térmicamente mejorado y compacto
Optimizado para relación Qg, Qgd y Qgd/Qgs a fin de reducir la conmutación relacionada con la pérdida de potencia
100 % Rg y prueba UIS
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