MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STI28N60M2, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, I2PAK de 3 pines
- Código RS:
- 164-6985
- Referência do fabricante:
- STI28N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 164-6985
- Referência do fabricante:
- STI28N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | STI28 | |
| Encapsulado | I2PAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Altura | 9.3mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie STI28 | ||
Encapsulado I2PAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Altura 9.3mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Gracias a su disposición de tira y su estructura vertical mejorada, estos dispositivos presentan unas características de conmutación optimizada y baja resistencia de conexión, por lo que son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Carga de puerta extremadamente baja
Perfil de excelente capacitancia de salida (COSS)
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
Qg muy bajo para aumentar la eficiencia
Perfiles de capacitancia y carga de puerta optimizados para fuentes de alimentación resonantes (convertidores LLC)
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