MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 168-5897
- Referência do fabricante:
- STW28N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
85,68 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,856 € | 85,68 € |
| 60 - 120 | 2,285 € | 68,55 € |
| 150 + | 2,056 € | 61,68 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-5897
- Referência do fabricante:
- STW28N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW28N60DM2, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW30N65M5, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW28N60M2, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 69 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 32 A, Mejora, TO-247 de 3 pines