MOSFET, N-Canal onsemi IRL640A, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 807-8711
- Referência do fabricante:
- IRL640A
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 807-8711
- Referência do fabricante:
- IRL640A
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | IRL | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 16.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie IRL | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 16.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.7mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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