MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRLHS2242TRPBF, VDSS 20 V, ID 7.2 A, Mejora, PQFN de 6 pines

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Código RS:
130-1018
Número do artigo Distrelec:
304-36-993
Referência do fabricante:
IRLHS2242TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

53mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

9.6W

Tensión directa Vf

-1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.95mm

Anchura

2.1 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 7,2A, disipación de potencia máxima de 9,6W - IRLHS2242TRPBF


Este MOSFET de montaje superficial es adecuado para aplicaciones que exigen una conmutación de alta eficiencia. Su baja resistencia a la conexión, unida a la tecnología HEXFET, contribuye a reducir al mínimo la pérdida de potencia, lo que lo hace adecuado para tareas de gestión de la potencia en diversos circuitos electrónicos. Con una temperatura máxima que oscila entre -55 °C y +150 °C, funciona eficazmente en condiciones difíciles.

Características y ventajas


• La baja Rds(on) garantiza un alto rendimiento y una menor generación de calor

• Capaz de manejar una corriente de drenaje continua de 7.2A para un rendimiento robusto

• El compacto encapsulado DFN de 6 patillas facilita la integración en espacios reducidos

• El funcionamiento en modo de mejora permite opciones de diseño versátiles

• Proporciona una excelente resistencia térmica para una mayor longevidad

Aplicaciones


• Se utiliza para la conmutación de sistemas/cargas en sistemas de automatización

• Ideal para la conmutación de carga y descarga en la gestión de baterías

• Adecuado para dispositivos electrónicos compactos que requieren alta eficiencia

• Empleado en sistemas de control eléctrico y circuitos de gestión de potencia

¿Cuál es el significado de la característica Rds(on) baja?


La baja Rds(on) reduce las pérdidas por conducción, aumentando la eficiencia global y manteniendo temperaturas más bajas durante el funcionamiento, lo que es vital para aplicaciones de alta potencia.

¿Cómo gestiona este componente el rendimiento térmico?


Tiene una temperatura máxima de +150°C, junto con una baja resistencia térmica para mejorar la disipación del calor, lo que garantiza un funcionamiento estable en condiciones de alta carga.

¿Puede funcionar en distintos entornos operativos?


Sí, funciona eficazmente en una gama de temperaturas de -55°C a +150°C, lo que la hace adecuada para aplicaciones rigurosas en diversos climas.

¿Es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia?


El diseño del MOSFET admite conmutación de alta velocidad, lo que lo hace eficaz para aplicaciones de alta frecuencia en la electrónica contemporánea.

¿Cuáles son los requisitos de montaje para un rendimiento óptimo?


Para obtener los mejores resultados, debe montarse en una placa de circuito impreso con las características de gestión térmica adecuadas para optimizar la disipación del calor y las conexiones eléctricas.

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