MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 70 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 124-8782
- Referência do fabricante:
- IRF4905STRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 124-8782
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 120nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 170W | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 120nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 170W | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.65mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- KR
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 70 A, disipación de potencia máxima de 170 W - IRF4905STRLPBF
Este MOSFET de alta corriente es adecuado para diversas aplicaciones de automatización y electrónica. Con una corriente de drenaje continua máxima de 70 A, funciona con tensiones de drenaje-fuente de hasta 55 V. Su configuración en modo de mejora cumple los requisitos de rendimiento, mientras que su bajo RDS(on) maximiza la eficiencia energética. Diseñado para aplicaciones de alta potencia, este MOSFET ofrece estabilidad térmica, lo que lo hace apropiado para condiciones de funcionamiento rigurosas.
Características y ventajas
• Mejora la eficiencia del sistema gracias a los bajos valores de resistencia a la conexión
• Funciona eficazmente en una gama de temperaturas de -55°C a +150°C
• Admite velocidades de conmutación rápidas para mejorar el rendimiento
• Presenta un diseño robusto para condiciones de avalancha repetitivas
• Se suministra en un encapsulado D2PAK TO-263 para un montaje sencillo en superficie
Aplicaciones
• Utilizados en sistemas de gestión de la energía y convertidores
• Adecuado para el control motor que requieren un alto rendimiento
• Integrado en fuentes de alimentación conmutadas para mejorar el rendimiento
• Aplicable en entornos de automoción que requieren un control fiable
• Empleado en automatización industrial que requiere un manejo de potencia sustancial
¿Cuál es la temperatura máxima a la que puede funcionar este aparato?
El dispositivo tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +150 °C, lo que garantiza su estabilidad en condiciones ambientales variables.
¿Cómo beneficia la baja RDS(on) al diseño de circuitos?
El bajo RDS(on) minimiza las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia general del circuito y permitiendo un funcionamiento más frío.
¿Puede este componente manejar corrientes pulsadas?
Sí, es capaz de gestionar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 280 A, lo que lo hace adecuado para aplicaciones dinámicas.
¿Cuáles son los parámetros clave para seleccionar tensiones de conducción compatibles?
La tensión puerta-fuente debe permanecer dentro del rango de -20 V a +20 V para garantizar un funcionamiento eficaz sin riesgo de daños.
¿Es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?
El dispositivo está diseñado para conmutación rápida, por lo que es adecuado para funciones operativas de alta frecuencia en circuitos electrónicos.
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