MOSFET onsemi FDB035N10A, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 124-1376
Referência do fabricante:: FDB035N10A
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDB035N10A, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Preço unitário (Fornecido em carretes de 800)**

3,956 €

Temporariamente fora de stock. Disponível a 22/07/2025, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).*

* As datas de entrega podem variar em função da quantidade escolhida e do endereço de entrega.

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidade	Por Carreto**
800 +	3,956 €	3 164,80 €

**preço indicativo

Código RS:: 124-1376
Referência do fabricante:: FDB035N10A
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	333 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	89 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Longitud	10.67mm
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDB035N10A, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Entrega GRATUITA para encomendas superiores a 80,00 €

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor