MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P404ATMA2, VDSS -40 V, ID -120 A, Mejora, TO-263
- Código RS:
- 258-3798
- Referência do fabricante:
- IPB120P04P404ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
3,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2955 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,54 € |
| 10 - 24 | 3,36 € |
| 25 - 49 | 3,23 € |
| 50 - 99 | 3,08 € |
| 100 + | 2,87 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3798
- Referência do fabricante:
- IPB120P04P404ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.50mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.50mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie iPB de Infineon, tensión de fuente-drenaje máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 120 A - IPB120P04P404ATMA2
Este MOSFET de canal P es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación de alta corriente en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas por conducción y una gestión térmica compacta. El dispositivo cumple las restricciones ambientales del sector y los estándares de calidad de automoción, lo que lo convierte en adecuado para la electrónica de vehículos resistentes y los módulos de regulación de potencia.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido reduce las pérdidas por conducción durante el funcionamiento con alta corriente
• La alta corriente de drenaje continua admite conmutación de carga pesada
• La amplia capacidad de temperatura preserva el funcionamiento en entornos extremos
• La baja tensión directa minimiza la caída de tensión en las vías de potencia
• El encapsulado de montaje en superficie facilita diseños de PCB compactos y térmicamente eficientes
• La alta corriente de drenaje continua admite conmutación de carga pesada
• La amplia capacidad de temperatura preserva el funcionamiento en entornos extremos
• La baja tensión directa minimiza la caída de tensión en las vías de potencia
• El encapsulado de montaje en superficie facilita diseños de PCB compactos y térmicamente eficientes
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de convertidor dc-dc de automoción
• Ideal para la gestión de potencia de alta corriente en sistemas de vehículos
• Se utiliza con módulos de protección y distribución de baterías
• Puede utilizarse para conmutar cargas en conjuntos de alta corriente
• Ideal para la gestión de potencia de alta corriente en sistemas de vehículos
• Se utiliza con módulos de protección y distribución de baterías
• Puede utilizarse para conmutar cargas en conjuntos de alta corriente
¿Qué tipo de encapsulado utiliza el dispositivo?
Se suministra en un encapsulado TO‐263 para montaje en superficie.
¿Qué homologaciones ambientales se aplican a este componente?
El componente cumple la directiva RoHS y las normas de automoción AEC-Q101.
¿Cuál es la configuración de canal y el modo del dispositivo?
Se trata de un dispositivo de modo de mejora de canal P.
¿Qué límites eléctricos deben respetar los diseñadores para un funcionamiento seguro?
La tensión máxima de drenaje de fuente es de 40 V y la corriente de drenaje continua máxima es de 120 A.
¿Qué rango térmico se puede esperar durante el funcionamiento?
La temperatura de funcionamiento admisible oscila entre –55 y +175 °C.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P4L03ATMA2, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Transistor de potencia, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Transistor de potencia, Tipo P-Canal Infineon IPB120P04P4L03ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 100 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, N-Canal Infineon IPB120N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
